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Si4396DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thru 4 V
2.0
1.6
1.2
0.8
T C = 125 °C
10
3 V
0.4
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
0.018
0.016
0.014
0.012
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
2200
1760
1320
880
C oss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.010
0.008
V GS = 10 V
440
0
C rss
0
10
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.7
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
I D = 10 A
V DS = 15 V
V DS = 10 V
V DS = 20 V
1.5
1.3
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
4
2
0
1.1
0.9
0.7
V GS = 10 V
0.0
6.2
12.4
18.6
24.8
31.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74252
S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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